Transistor MOSFET BSC076N04ND
de potencia

Transistor MOSFET - BSC076N04ND - Infineon Technologies AG - de potencia
Transistor MOSFET - BSC076N04ND - Infineon Technologies AG - de potencia
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia
Corriente

20 A

Tensión

40 V

Descripción

Doble Super SO8 para una alta densidad de potencia (ocupa poco espacio) Resistencia térmica superior Alta temperatura de funcionamiento de hasta 175°C Alta inmunidad al disparo gracias a Qgd/Qgs<0,8 Revestimiento sin plomo, conforme a RoHS Aplicaciones: SMPS Carga inalámbrica inductiva Conmutadores de carga Sistemas de gestión de baterías Accionamientos de BT

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MWC 2025
MWC 2025

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