Transistor MOSFET BSC027N10NS5

de potencia

Descripción Los MOSFETs BiC de Infineon en el paquete SuperSO8 amplían la cartera de productos de OptiMOS™ 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de una mayor robustez, respondiendo a la necesidad de un menor coste del sistema y un mayor rendimiento. La baja carga de recuperación inversa (Qrr) mejora la confiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del exceso de voltaje, lo que minimiza la necesidad de circuitos de amortiguador, lo que resulta en un menor costo y esfuerzo de ingeniería. Características principales El RDS(encendido) más bajo permite una mayor densidad de potencia y eficiencia Mayor rango de temperatura de funcionamiento hasta 175°C para una mayor fiabilidad Bajo RthJC para un excelente comportamiento térmico Menor carga de recuperación inversa (Qrr) Beneficios clave Menor temperatura a plena carga Menos paralelismo Reducción del rebasamiento Aumento de la densidad de potencia del sistema Tamaño más pequeño Reducción de costes del sistema Reducción de costes de ingeniería y esfuerzo Aplicaciones de destino Servidor Telecomunicaciones Herramientas eléctricas Accionamientos de baja tensión Aplicaciones de audio de clase D