Sensor fotoeléctrico de reflexión directa M12
de tipo barreracilíndricoinfrarrojo

sensor fotoeléctrico de reflexión directa
sensor fotoeléctrico de reflexión directa
sensor fotoeléctrico de reflexión directa
sensor fotoeléctrico de reflexión directa
sensor fotoeléctrico de reflexión directa
sensor fotoeléctrico de reflexión directa
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
 

Características

Tipo
de reflexión directa, de tipo barrera
Carcasa
cilíndrico
Tipo de haces
infrarrojo
Otras características
con amplificadores integrados, de metal
Alcance máximo

1 mm, 100 mm
(3,3 in, 3,9 in)

Descripción

Característica del producto: - Tiempo de respuesta rápido: 1ms - Encendido claro u oscuro seleccionable - El retardo de encendido de 100 ms elimina los falsos disparos al encenderse - Protección autorrecuperable contra cortocircuitos en la salida NPN/PNP, polaridad inversa y sobretensión en la fuente de alimentación del sensor - Protección autorrecuperable contra cortocircuitos, polaridad inversa y sobretensión - ASIC de alto rendimiento con amplificador integrado - Carcasa metálica compacta con rosca de 12 mm para entornos difíciles - Indicadores LED de estado de funcionamiento visibles desde 360°

---

Otros productos de Intellisense Microelectronics

PHOTOELECTRIC SENSOR

* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.