Transistor IGBT PDHS254-NB15-S series
de potencia

transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de potencia

Descripción

Tomas de transistor de potencia Paso Alta temperatura Baja desgasificación Tipo multipolar Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Las tomas de prueba para transistores de potencia se adaptan a varios paquetes y son compatibles con su uso en entornos de alta temperatura. Paquetes aceptables: TO-220, TO-257, TO-262, etc Tamaño de cable aceptable: φ0,85 - 1,1 mm/0,335" -0,043" Corriente nominal Resistencia de contacto Resistencia dieléctrica Resistencia del aislante - Temperatura de funcionamiento - - Paso - Manguito - Latón, revestimiento de Au sobre Ni Contacto - Aleación de cobre de alta temperatura Aislador - Alta Temp. Termoplástico Su uso depende del dispositivo, como el plomo cuadrado. Personalizando la disposición de los pines del zócalo, también puede utilizarse para la evaluación de semiconductores de potencia como IPM e IGBT. Posibilidad de medición Kelvin Capaz de seleccionar las especificaciones de cableado Soporta el entorno de alta temperatura Posicionamiento jefe permitir la disposición con alta precisión de posición De acuerdo con los contactos son 2,85 mm de la parte superior de la toma, es capaz de alcanzar la medición con baja inductancia. La fuerza de montaje de la placa está asegurada por tornillo y tuerca.

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Catálogos

* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.