JBX-3050MV es un sistema de litografía por haz de electrones de forma variable para la fabricación de máscaras de nodos de 45 nm a 32 nm. Su tecnología de vanguardia consigue alta velocidad, alta precisión y alta fiabilidad. Este sistema EB utiliza un haz de electrones de 50 kV de forma variable y una etapa de paso y repetición.
Características
El JBX-3050MV es un sistema de litografía por haz de electrones para la fabricación de máscaras/retículas que cumple la regla de diseño de 45 a 32 nm. Este sistema presenta una escritura de patrones con alta velocidad, alta precisión y alta fiabilidad, conseguidas mediante tecnología de gama alta.
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