YS40V2-XXXS es un dispositivo de almacenamiento de alto rendimiento y fiabilidad que consta de memorias NAND Flash no volátiles y componentes semiconductores. Esta tecnología está diseñada para optimizar las limitaciones de bajo rendimiento informático de los discos duros tradicionales. Todas las piezas mecánicas se han sustituido por componentes electrónicos para evitar daños por golpes y vibraciones.
Especificaciones
Dimensiones - L59.4mm * W27.45mm * H8.36mm Error±0.5mm
4K lectura aleatoria(IOPS) - 3200(16GB)
4K escritura aleatoria(IOPS) - 620(16GB)
Voltaje de entrada - DC 5V±5
Consumo de energía en reposo - 0,16 W (16 GB)
Consumo activo: 1,60 W (16 GB)
Retención de datos - 10 años por debajo de 25 grados
MTBF - 2 millones de horas
ECC - Hardware BCH ECC capaz de corregir errores de hasta 72bit/1KB
Características - Gestión automática de bloques defectuosos
Temperatura de funcionamiento - 0℃~70℃
Temperatura de almacenamiento - -40℃~85℃
Humedad - 5-95%
Vibración - 80Hz~2000Hz/20G
Choque - 1500G/0.5ms
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