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Sistema de medición de temperatura EtchTemp series
para oblea

sistema de medición de temperatura
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Características

Magnitud física
de temperatura
Objeto de la medición
para oblea

Descripción

La serie EtchTemp de sistemas de medición de temperatura de obleas in situ capta el efecto del entorno del proceso de grabado por plasma en las obleas de producción. El sistema de medición EtchTemp-SE incluye un revestimiento protector que permite controlar la temperatura durante los procesos de grabado por plasma de silicio. Al caracterizar las condiciones térmicas que representan fielmente las condiciones de las obleas de producto, el EtchTemp-SE wireless wafer ayuda a los ingenieros de proceso a ajustar las condiciones del proceso de grabado, y a la cualificación, adaptación y verificación post-PM de las cámaras de grabado por plasma de la parte delantera de la línea. Aplicaciones Desarrollo de procesos, Cualificación de procesos, Supervisión de herramientas de proceso, Cualificación de herramientas de proceso, Adaptación de cámaras, Adaptación de herramientas de proceso Grabado por plasma dieléctrico (EtchTemp), Grabado por plasma conductor (EtchTemp-HD, EtchTemp SE-HD, EtchTemp-SE), Implante iónico | 20-140°C Productos relacionados EtchTemp-HD Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de obleas con mandril electrostático (ESC) de zonas múltiples. EtchTemp-LT Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de grabado de obleas por debajo de 20°C EtchTemp-HP Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de grabado de obleas de alta potencia total y alta relación de aspecto (HARC) EtchTemp-SE Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones reales de proceso para la caracterización de procesos de grabado de obleas de silicio de alta potencia y alta frecuencia EtchTemp Datos temporales y espaciales de temperatura en condiciones de proceso reales para la caracterización de procesos de grabado de alta potencia y alta frecuencia de obleas dieléctricas

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