La serie EtchTemp de sistemas de medición de temperatura de obleas in situ capta el efecto del entorno del proceso de grabado por plasma en las obleas de producción. El sistema de medición EtchTemp-SE incluye un revestimiento protector que permite controlar la temperatura durante los procesos de grabado por plasma de silicio. Al caracterizar las condiciones térmicas que representan fielmente las condiciones de las obleas de producto, el EtchTemp-SE wireless wafer ayuda a los ingenieros de proceso a ajustar las condiciones del proceso de grabado, y a la cualificación, adaptación y verificación post-PM de las cámaras de grabado por plasma de la parte delantera de la línea.
Aplicaciones
Desarrollo de procesos, Cualificación de procesos, Supervisión de herramientas de proceso, Cualificación de herramientas de proceso, Adaptación de cámaras, Adaptación de herramientas de proceso
Grabado por plasma dieléctrico (EtchTemp), Grabado por plasma conductor (EtchTemp-HD, EtchTemp SE-HD, EtchTemp-SE), Implante iónico | 20-140°C
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