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Sistema de inspección óptico Teron™ SL6xx series
automáticode defectos de superficiepara obleas

Sistema de inspección óptico - Teron™ SL6xx series  - KLA Corporation - automático / de defectos de superficie / para obleas
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Características

Tecnología
óptico
Especificaciones
automático
Tipo
de defectos de superficie
Uso previsto
para obleas
Configuración
a medida

Descripción

El sistema de inspección Teron™ SL670e XP se utiliza para evaluar la calidad de las retículas EUV entrantes y para recalificar las retículas EUV periódicamente durante el uso en producción y tras la limpieza de las retículas, lo que ayuda a los fabricantes de chips a proteger el rendimiento reduciendo el riesgo de imprimir obleas defectuosas. Con las innovadoras tecnologías EUVGold™ y EUVMultiDie, el seguimiento de enfoque avanzado y la flexibilidad de imagen, la Teron SL670e XP ofrece la sensibilidad necesaria para supervisar y detectar defectos de retícula críticos para el rendimiento en retículas EUV utilizadas para la producción de chips lógicos y DRAM avanzados de 5nm/3nm. La Teron SL670e XP también cuenta con un rendimiento de producción líder en el sector, que admite los tiempos de ciclo rápidos necesarios para calificar las retículas durante la fabricación de chips de gran volumen. La inspección de retículas ópticas avanzadas es compatible con la Teron SL670e XP con una opción. Recalificación de retículas, comprobación de la calidad de las retículas entrantes Teron™ SL670e: Inspección de retículas EUV y ópticas (opcional) durante la fabricación de chips para tecnologías de CI de nodos de diseño de 7nm/5nm. RA (Analizador de retículas): El sistema de análisis de datos de retículas para fábricas de CI admite aplicaciones como la clasificación automática de defectos, la revisión de planos litográficos y la supervisión de la progresión de los defectos. Teron™ SL655: Inspección de retículas ópticas y EUV (opcional) durante la fabricación de chips para tecnologías de CI de nodo de diseño de 10 nm. Teron™ SL650: Inspección de retículas ópticas durante la fabricación de chips para tecnologías de CI de nodos de diseño de 20 nm.

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