La deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) es un proceso que utiliza la energía del plasma para acelerar las reacciones químicas en la superficie de la oblea y producir películas finas a temperaturas inferiores a 400 °C. El bombardeo de iones energéticos durante la deposición puede utilizarse para adaptar las propiedades eléctricas y mecánicas de las películas. El bombardeo energético de iones durante la deposición puede utilizarse para adaptar las propiedades eléctricas y mecánicas de las películas. Los sistemas SPTS Delta™ PECVD se utilizan para una amplia gama de aplicaciones dentro de los mercados de envasado avanzado, RF, energía, fotónica y MEMS, especialmente en aplicaciones en las que se requiere una baja temperatura de procesamiento. El sistema Delta™ fxP cluster ofrece una completa biblioteca de procesos para una amplia gama de películas dieléctricas y con temperaturas de deposición de 80°C a 400°C. El sistema también ofrece opciones de cámara de precalentamiento de una o varias obleas para desgasificar sustratos sensibles y capacidad de procesamiento de contactos en los bordes para la deposición de la cara posterior de las obleas.
- SiCN para unión híbrida y SiO grueso para relleno de huecos entre obleas
- Revestimientos TSV y pasivación de vías de acceso
- Pasivación de SiN para chips de potencia con baja potencia, opción de bajo daño para GaN
- Películas posteriores de baja temperatura con compensación de arco
- SiN altamente uniforme para la pasivación de condensadores MIM y dispositivos GaAs.
- Películas RI y dopadas sintonizadas para fotónica activa y pasiva
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