Permite el proceso del recocido del contacto y del substrato de GaN. Apoya las obleas de 6 pulgadas y permite la activación y la oxidación en atmósferas de la carga-cerradura environments/N2 del vacío (LP).
Características
Temperatura de funcionamiento máximo: 1,200°C
Apoya una amplia gama de tamaños de la oblea hasta 6 pulgadas.
Un mecanismo automático del reemplazo de la oblea proporciona transferencia del casete-a-casete.
La ayuda del vacío mejora características de recocido.
La ayuda de la carga-cerradura del N2 permite tiempo de vuelta rápido.
Substratos de GaN del proceso de la poder.
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