Al igual que los fotomultiplicadores, los fotodiodos de avalancha se utilizan para detectar intensidades de luz extremadamente débiles. Los APD de Si se utilizan en el rango de longitudes de onda de 250 a 1100 nm, y los InGaAs se utilizan como material semiconductor en los APD para el rango de longitudes de onda de 1100 a 1700 nm.
Matrices APD de silicio
Los conjuntos de APD están ahora disponibles en Laser Components, permitiendo nuevas aplicaciones en LIDAR y ACC.
La Serie SAH
Típicamente utilizados en los sensores de Tiempo de Vuelo (TOF) para la medición de distancias, por ejemplo en aplicaciones de detección de seguridad en automóviles, las matrices APD lineales están ahora disponibles en Laser Components.
Combinando fotodiodos de avalancha de silicio de bajo ruido y alta sensibilidad en un conjunto monolítico, los conjuntos han sido optimizados para el rango de longitudes de onda de 800-900 nm. Otras características incluyen un coeficiente de baja temperatura y una brecha de sólo 40 µm entre los elementos. Las matrices pueden ser configuradas para ajustarse a los requerimientos del cliente en cuanto al número y tamaño de los elementos de la matriz. También se dispone de matrices de 8, 12 o 16 elementos en un paquete DIL de 14 pines como estándar (hay hojas de datos disponibles). Los conjuntos de matrices 2D están actualmente en desarrollo.
---