crecimiento de cristales
Para el crecimiento por transporte físico de vapor (PVT) de monocristales de SiC a granel según el método Lely modificado
Otras aplicaciones podrían ser Síntesis de materia prima de SiC de gran pureza
ESPECIFICACIONES DEL PRODUCTO
Características más importantes
Horno de inducción, diseño de carga superior
crecimiento de cristales masivos de SiC de 4
Potencia de calentamiento MF 30 kW
Frecuencia de trabajo 8-10 kHz
Gases de proceso Nitrógeno, Argón, Hidrógeno, presión parcial de trabajo 5 - 950 mbar
Cámara de vacío/estanca mediante montaje de tubo de vidrio doble refrigerado por agua
Sistema de bomba de vacío para vacío 2 x 10-5 mbar con bomba turbomolecular (685 l/s)
Aislamiento de fieltro de grafito de gran pureza (purificado con halógenos)
Nosotros lo hacemos posible:
Linn High Therm está especializada en adaptar sus productos a las necesidades del cliente. Háganos saber si necesita alguna modificación. Haremos todo lo posible para satisfacer sus deseos.
Posibles opciones estandarizadas
Rotación y desplazamiento del crisol
Pirómetro de fondo de crisol
Refrigeración por agua de emergencia
Software de guiado del proceso
Diseño del cargador de fondo
Unidad de refrigeración por circulación
Formación en crecimiento de cristales por un renombrado instituto de investigación alemán
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