Circuito de control puerta MOSFET DIP8
IGBToptoaislado

Circuito de control puerta MOSFET - DIP8 - Liteon - IGBT / optoaislado
Circuito de control puerta MOSFET - DIP8 - Liteon - IGBT / optoaislado
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Características

Especificaciones
MOSFET, IGBT, optoaislado

Descripción

Estos Photocouplers se adaptan idealmente para el poder de conducción IGBTs y los MOSFETs usados en usos e inversores del inversor del control de motor en sistema de abastecimiento del poder. Contiene un AlGaAs LED ópticamente juntado a un circuito integrado con una etapa de la salida de poder. La corriente de salida máxima 2.5A~3A es capaz directamente de conducir la mayoría IGBTs con grados hasta 1200V/100A.

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Catálogos

Product Catalog
Product Catalog
303 Páginas
Full Product
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12 Páginas

Ferias

Este distribuidor estará presente en las siguientes ferias

MWC 2025
MWC 2025

3-06 mar. 2025 Barcelona (España) Hall 6 - Stand 6F38

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    * Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.