Transistor IGBT XPT™ series

de potencia

Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía y capacidad de conmutación de alta velocidad. Gracias al coeficiente de temperatura positivo de su tensión de estado activado, estos IGBT de alto voltaje pueden utilizarse en paralelo, lo que proporciona soluciones rentables en comparación con los dispositivos de menor voltaje conectados en serie. Como consecuencia, se reduce el circuito de accionamiento de puerta asociado, se simplifica el diseño y se mejora la fiabilidad del sistema global. Los diodos opcionales de recuperación rápida coempaquetados tienen un tiempo de recuperación inversa bajo y están optimizados para producir formas de onda de conmutación suaves y una interferencia electromagnética (EMI) significativamente menor. Características: Tecnología XPT™ de oblea delgada Bajas tensiones de estado activado VCE(sat) Diodos de recuperación rápida coempaquetados Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat) Paquetes de alto voltaje de tamaño estándar internacional Aplicaciones: Circuitos de pulsadores Generadores láser y de rayos X Fuentes de alimentación de alta tensión Equipos de prueba de alta tensión Circuitos de descarga de condensadores Interruptores de CA