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- Fototransistor bipolar
- OSRAM Opto Semiconductors
Fototransistor NPN Metal Can TO18de silicio
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Características
- Tipo
- NPN
- Otras características
- de silicio
- Corriente
0,01 mA, 0,2 mA, 1,65 mA
Descripción
Tiempo de caída
tf
8.0 µs
Tiempo de subida
tf
8.0 µs
Rango espectral de sensibilidad típ.
λ10% mín.
450 nm
λ10% máx.
1100 nm
Área radiante sensible
A
0.11 mm
Ángulo del haz
∢
110 °
Dimensión
l
5.35 mm
w
5.35 mm
h
3.3 mm
Temperatura de funcionamiento
Top min.
-40 °C
Top max.
80 °C
Campos de aplicación
Industrial
Automatización de fábricas
---
Catálogos
Infrared Components
62 Páginas
SFH 464
14 Páginas
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