La APX300-S se forja a partir de la historia de la tecnología de grabado en seco de eficacia probada, incluido el desarrollo patentado de la bobina de plasma de acoplamiento inductivo multiespiral (MS-ICP) y su aplicación para la matriz de materiales semiconductores compuestos. La APX300-S puede procesar obleas utilizadas en los mercados de dispositivos de potencia, filtros SAW, dispositivos de comunicación o sensores MEMS.
Nuestra tecnología de fuente ICP de espiral múltiple (MS-ICP) permite obtener resultados de proceso altamente uniformes. La opción disponible de ICP tipo Beamed (BM-ICP) con mayor densidad de electrones realiza un procesamiento más rápido y permite una gama más amplia de capacidad de proceso. También disponible con las opciones de sistema de manipulación atmosférico y de vacío.
- Bobina ICP multiespiral patentada (MSC-ICP) para una fuente de plasma uniforme
- ICP tipo haz (BM-ICP) opcional para fuente de plasma de alta densidad
- Bajo daño por mordentado gracias a un plasma no magnético altamente uniforme
- El área de adaptación más amplia proporciona una gran área de plasma
- Opcional φ200mm Atmosférico o φ150mm Vacuum load-lock
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