- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip PON XSJ-10-APD5-40fotodiodo
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Características
- Especificaciones
- fotodiodo, PON
Descripción
Este chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) de 10Gbps es un tipo de estructura de electrodo tierra-señal-tierra (GSG), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ40μm. Este producto se caracteriza por su alta multiplicación, baja capacitancia, gran ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente fiabilidad, y se aplica en receptores ópticos 10G SONET/SDH y 10G PON.
1. área activa de 40pm.
2. Alta multiplicación.
3. Alta tasa de datos.
4. Bajo coeficiente de temperatura.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
10G SONET/SDH
10G PON
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