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Microchip fotodiodo XSJ-10-APD6-16

microchip fotodiodo
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Características

Especificaciones
fotodiodo

Descripción

Este chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) de 25Gbps es un tipo de estructura de electrodo de señal de tierra (GS), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ16μm. Las características de este producto son alta multiplicación, baja capacitancia, gran ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente fiabilidad, aplicación en 25G EPON, 5G Wireless y 100GBASE-ER4. 1. Área activa de Φ16μm. 2. Alta multiplicación. 3. Alta velocidad de datos: 25Gbps superior. 4. Baja capacitancia. 5. Bajo coeficiente de temperatura. 6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% de pruebas e inspección. Aplicaciones 1. pON de 25 Gbps 2. 100GBASE-ER4(ER4-lite) 3. 5G inalámbrico.

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