- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip fotodiodo S570InGaAsInP
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Características
- Especificaciones
- fotodiodo, InP, InGaAs
Descripción
El sensor óptico de proximidad es un chip fotodiodo de iluminación superior InGaAs/InP, estructura plana, ánodo en la parte delantera, cátodo en la parte trasera, el tamaño del área activa cuadrada es de 570um*570um, con alta ESD, baja corriente oscura y otras características, tiene una alta respuesta en el rango de longitud de onda de 1300nm~1550nm. La respuesta en el rango de longitud de onda de 300nm~750nm es muy pequeña, lo que resuelve el problema de la recepción óptica de la pantalla OLED.
1. Diseño de alta descarga electroestática.
2. Ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior.
3. Baja corriente oscura.
4. Excelente capacidad de respuesta y alta ganancia.
5. área activa cuadrada de 570μm x 570μm
6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
Aplicaciones
1. Detección de luz ambiental.
2. Desactivación de la pantalla táctil del teléfono móvil.
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Sensor Monitoring Applications
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