- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip fotodiodo XSJ-10-D6-20InGaAsInP
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Características
- Especificaciones
- fotodiodo, InP, InGaAs
Descripción
Este chip fotodiodo 10Gbps de alta velocidad de datos tiene una estructura PIN InGaAs/InP y está iluminado en la parte superior. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño del área activa es Φ50μm, ánodo y cátodo almohadilla de unión en la parte superior para TO-CAN paquete de alambre de unión. Aplicación en receptor de 10Gbps.
1. Área activa de Φ20μm.
2. Estructura de almohadilla de unión tierra-señal-tierra (GSG) en la parte superior.
3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad.
4. Velocidad de datos de hasta 25 Gbps.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% de pruebas e inspección.
7. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE).
Aplicaciones
1. 100 Gigabit Ethernet
2. enlaces analógicos de 20 GHz
3. Pruebas y mediciones de alta velocidad.
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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.