- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip fotodiodo XSJ-10-D5-50AInGaAsInP
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Características
- Especificaciones
- fotodiodo, InP, InGaAs
Descripción
Este chip fotodiodo 10Gbps de alta velocidad de datos tiene una estructura PIN InGaAs/InP y está iluminado en la parte superior. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño del área activa es Φ50μm, ánodo y cátodo almohadilla de unión en la parte superior para TO-CAN paquete de alambre de unión. Aplicación en receptor de 10Gbps.
1. Área activa de Φ50μm.
2. Baja capacitancia.
3. Alta responsabilidad.
4. Baja corriente oscura.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. Velocidad de datos de hasta 10 Gbps.
7. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. Redes ópticas de larga distancia.
2. ethernet 10G.
3. Datacom de fibra óptica.
5. WDM, ATM.
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