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- Microchip digital
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip digital XSJ-10-D4-60fotodiodoInGaAsInP
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Características
- Especificaciones
- digital, fotodiodo, InP, InGaAs
Descripción
Este chip fotodiodo 3.1Gbps es InGaAs/InP PIN estructura planar y chip fotodiodo digital top-iluminado, tamaño de área activa es Φ60μm. Se caracteriza por su baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta y excelente fiabilidad. Aplicación en receptores ópticos de 3,1 Gbps e inferiores y EPON ONU.
1. Área activa de Φ60μm.
2. Alta responsabilidad.
3. Baja corriente oscura.
4. Gran ancho de banda.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. ≤Receptor digital de 3,1 Gbps.
2. EPON ONU.
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