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Microchip fotodiodo XSJ-10-SPD-51
de potenciaInPInGaAs

Microchip fotodiodo - XSJ-10-SPD-51 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - de potencia / InP / InGaAs
Microchip fotodiodo - XSJ-10-SPD-51 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - de potencia / InP / InGaAs
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Características

Especificaciones
fotodiodo, de potencia, InP, InGaAs

Descripción

Este chip fotodiodo de alta sensibilidad (super chip PD) tiene una estructura planar InGaAs/InP. Las características son alta capacidad de respuesta, baja capacitancia y baja corriente oscura, aplicación en 2.5Gbps GPON OUN receptor. El chip PIN PD de alta sensibilidad a 2,5 Gbps que funciona con super TIA puede sustituir al APD+TIA a 2,5 Gbps y reducir el coste y el consumo de energía de la ONU. 1. Φ51μm de área activa. 2. Alta responsabilidad y baja corriente oscura. 3. Estructura plana. 4. Baja corriente oscura. 5. Alta sensibilidad, funciona con super TIA puede reemplazar 2.5Gbps APD-TIA. 6. Velocidad de datos de hasta 2,5 Gbps. 7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% de pruebas e inspección. Aplicaciones 1. receptor GPON ONU de 2,5 Gbps.

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