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Microchip digital XSJ-10-D3-70-04
fotodiodoInGaAsInP

Microchip digital - XSJ-10-D3-70-04 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - fotodiodo / InGaAs / InP
Microchip digital - XSJ-10-D3-70-04 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - fotodiodo / InGaAs / InP
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Características

Especificaciones
digital, fotodiodo, InP, InGaAs

Descripción

Este chip fotodiodo 2.5Gbps es InGaAs/InP PIN estructura planar y chip fotodiodo digital top-iluminado, tamaño de área activa es Φ70μm. Se caracteriza por su baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta y excelente fiabilidad. Aplicación en receptores ópticos de 2,5 Gbps e inferiores y EPON ONU. 1. Área activa de Φ70μm. 2. Alta responsabilidad. 3. Baja corriente oscura. 4. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 5. 100% de pruebas e inspección. Aplicaciones 1. receptor GPON/EPON ONU de 2,5 Gbps. 2. EPON ONU.

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.