- Metrología - Laboratorio
- Componente Optico
- Matriz de fotodiodos chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Matriz de fotodiodos PIN XSJ-10-D6A-32-K4chip
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Características
- Especificaciones
- PIN, chip
Descripción
Este chip fotodiodo 4X25Gbps Array 100Gbps, que es top-iluminado y mesa estructura alta velocidad de datos digital PIN fotodiodo chip, tamaño de área activa es Φ32μm. Sus características es alta, baja capacitancia, baja corriente oscura y excelente fiabilidad, principalmente combinación con alto rendimiento 4X25Gbps quad canales amplificadores de transimpedancia(TIA), aplicación en aplicaciones de longitud de onda larga, alta tasa de fecha hasta 4X25Gbps con receptor óptico de fibra monomodo.
1. Φ32μm área activa.
2. Estructura de almohadilla de unión tierra-señal-tierra (GSG), matriz 4X25G.
3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad.
4. Ancho de banda tipo: 16GHz.
5. Paso de la matriz: 250μm
6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. IEEE 100 Gigabit Ethernet.
2. 100G CWDM4，PSM4，CLR4.
3. enlaces 100G(4X25Gbps).
4. Monomodo datacom y telecom.
5. Transceptores, receptores y transpondedores de fibra óptica.
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