Matriz de fotodiodos XSJ-10-G6A-38H-K4

Descripción Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos 4X25Gbps tiene una estructura de PIN de 1x4 de GaAs con iluminación superior. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia y baja corriente oscura, el tamaño del área activa es Φ38μm, la señal y la almohadilla de enlace de tierra están diseñadas en la parte superior del chip para facilitar la unión de cables, la aplicación en la comunicación de datos de corto alcance de 850nm 25Gbps, la dimensión del chip cumple con el requisito de embalaje para 25Gbps por módulo de canal o receptor de cable óptico activo (AOC). Características Φ38μm de área activa. Baja capacitancia. Baja corriente oscura. Alta responsabilidad. Velocidad de datos: hasta 25Gbps por encima por canal. Diseño de la almohadilla de unión tierra-señal-tierra y pasivación fuera del área de la almohadilla de unión. Die pitch: 250μm Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. pruebas e inspecciones al 100%. Cumple con la norma RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones Transceptor de comunicación de datos. receptor AOC (cable óptico activo) de 25Gbps a 850nm. sFP+ de 25Gbps. 4X25Gbps QSFP.