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- Matriz de fotodiodos chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Matriz de fotodiodos de GaAs XSJ-10-G5-70-K4PINchip
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Características
- Especificaciones
- PIN, de GaAs, chip
Descripción
Este chip fotodiodo 4X10Gbps de alta velocidad de datos es una estructura PIN de GaAs con iluminación superior. Características es alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño de área activa es Φ70μm, ánodo y cátodo enlace almohadilla en la parte superior para TO-CAN paquete alambre-bond, aplicación en transmisión de datos de canal de fibra, 10Gigabit Ethernet y comunicación multimodo etc..
1. Φ70μm de área activa.
2. Baja capacitancia y baja corriente oscura.
3. Alta responsabilidad.
4. Velocidad de datos de hasta 10 Gbps.
5. Die pitch: 250μm
6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. receptor AOC (cable óptico activo) de 10 Gbps a 850 nm.
2. Infiniband.
3. SONET/SDH
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