- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip fotodiodo XSJ-10-D7-16X
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Características
- Especificaciones
- fotodiodo
Descripción
Este chip fotodiodo 56GBaud, que es iluminado superior y mesa estructura alta velocidad de datos PIN fotodiodo chip, tamaño de área activa es Φ16μm. Sus características tienen alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura y excelente fiabilidad, principalmente combinación con amplificadores de transimpedancia de bajo ruido (TIA), aplicado a 4X56GBuad PAM 4 transmisión de centro de datos y 100 Gigabit Ethernet.
1. Φ16μm de área activa.
2. Estructura de almohadilla de unión tierra-señal-tierra (GSG) en la parte superior.
3. Baja corriente oscura.
4. Baja capacitancia.
5. Alta responsabilidad.
6. Ancho de banda: ≥35GHz (Con TIA).
7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. 4X56GBuad PAM-4.
2. 100 Gigabit Ethernet.
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