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Microchip digital XSJ-10-EMPD-120R
fotodiodoInGaAsInP

Microchip digital - XSJ-10-EMPD-120R - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - fotodiodo / InGaAs / InP
Microchip digital - XSJ-10-EMPD-120R - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - fotodiodo / InGaAs / InP
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Características

Especificaciones
digital, fotodiodo, InP, InGaAs

Descripción

El XSJ-10-EMPD-120R es un chip de fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP iluminado en el borde, de estructura plana con contacto anódico y contacto catódico en la parte superior. El tamaño del área detectable del borde del fotodiodo es de 120μmX60μm, lo que resulta adecuado para láseres emisores de borde utilizados en aplicaciones de centros de datos y telecomunicaciones, y ofrece una excelente capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 980 nm a 1620 nm. Las dimensiones del producto se adaptan específicamente a los envases no herméticos. 1. Con almohadilla de unión PN en la parte superior y adecuado para encapsulado no hermético. 2. Área detectable en el borde: 120μmX60μm. 3. Alta responsabilidad y baja corriente oscura. 4. Baja tensión de polarización de funcionamiento. 5. -40℃ a 85℃ gama de la operación. 6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% de pruebas e inspección. 8. Dimensiones de chip personalizadas disponibles. Aplicaciones 1. Supervisión de la potencia del láser de la cara posterior. 2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH. 3. Interconexión óptica.

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