Microchip fotodiodo XSJ-10-G6-35

Este chip fotodiodo 25Gbps de alta velocidad de datos es GaAs superior iluminado estructura PIN. Características es alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño de área activa es Φ35μm, señal y tierra enlace almohadillas en la parte superior para el paquete TO-CAN alambre-cond, aplicación en 20-25 Gbps corto alcance comunicación de datos ópticos que está en 850nm. 1. Área activa de Φ35μm. 2. Baja capacitancia. 3. Baja corriente oscura. 4. Velocidad de transmisión de datos de hasta 28 Gbps. 5. Almohadilla de enlace GS en la parte superior. 6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% de pruebas e inspección. Aplicaciones 1. 25Gigabit Ethernet/Canal de fibra. 2. receptor AOC (cable óptico activo) de 25 Gbps a 850 nm. 3. interconexiones ópticas paralelas basadas en VCSEL a 25Gbps. 4. sFP+ a 25 Gbps.