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Microchip fotodiodo XSJ-10-G5-70

Microchip fotodiodo - XSJ-10-G5-70 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Microchip fotodiodo - XSJ-10-G5-70 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
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Características

Especificaciones
fotodiodo

Descripción

Este chip fotodiodo 10Gbps de alta velocidad de datos es una estructura PIN de GaAs con iluminación superior. Las características son de alta responsabilidad, baja capacitancia, baja corriente oscura, tamaño del área activa es Φ70μm, ánodo y cátodo almohadilla de unión en la parte superior para TO-CAN paquete de alambre de bonos, la aplicación en la transmisión de datos de canal de fibra, 10Gigabit Ethernet y la comunicación multimodo, etc. 1. Φ70μm de área activa. 2. Baja capacitancia y baja corriente oscura. 3. Alta responsabilidad. 4. Velocidad de datos de hasta 10 Gbps. 5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 6. 100% de pruebas e inspección. Aplicaciones 1. 10Gigabit BASE-SR Ethernet. 2. comunicación de datos de corto alcance de 10 Gbps a 850 nm. 3. Telecomunicaciones y comunicaciones de datos multimodo. 4. transmisión de datos por canal de fibra a 8 Gbps. 5. Receptores y transpondedores de transceptores de fibra óptica.

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.