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Microchip fotodiodo XSJ-10-APD4-80-TR1

microchip fotodiodo
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Características

Especificaciones
fotodiodo

Descripción

El chip fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia integrada y amplifica la fotocorriente. Las características de este producto son ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior, con un área activa iluminada en la parte superior de Φ80μm para facilitar el montaje óptico; alta capacidad de respuesta, alto factor de multiplicación y baja corriente oscura. El chip APD de 2,5 Gbps de alto rendimiento y el TO-CAN combinado con TIA pueden mejorar la sensibilidad del receptor óptico, aplicaciones que permiten la transmisión de datos para la actual fibra hasta el hogar (FTTH). 1. Φ80μm de área activa. 2. Ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior. 3. Baja corriente oscura. 4. Excelente respuesta y alta ganancia. 5. Reflectividad<1,5% a 1550nm±50nm, <6% a 1250nm~1700nm. 6. Velocidad de transmisión de datos superior a 2,5 Gbps. 7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por 8. Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% de pruebas e inspección. 9. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 1. Telémetro láser de seguridad. 2. Reflectómetro óptico de dominio temporal (OTDR). 3. Sistemas de comunicación óptica.

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