Microchip fotodiodo XSJ-10-M-2000

InGaAsInP

Este chip de fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP iluminado por la parte superior tiene una gran área activa, con estructura plana, ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior. Tamaño del área activa es Φ2000μm, y alta capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 980nm a 1620nm. Aplicación para monitorizar la salida de potencia óptica de la faceta posterior de varios LD. 1. Estructura planar sobre sustrato n+ InP con contacto anódico superior. 2. Área activa de Φ2000μm. 3. Alta responsabilidad. 4. Baja corriente oscura. 5. Baja tensión de polarización de funcionamiento. 6. -40 ℃ a 85 ℃ rango de operación. 7. Fiabilidad excelente: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por 8. Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% de pruebas e inspección. 9. Dimensiones de chip personalizadas disponibles. Aplicaciones 1. Supervisión de la potencia del láser de la cara posterior.