- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip digital
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip digital XSJ-10-DA3-70-01analógicofotodiodoInGaAs
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Características
- Especificaciones
- analógico, digital, fotodiodo, InP, InGaAs
Descripción
El chip fotodiodo de 2,5 Gbps tiene una estructura PIN planar InGaAs/InP y un chip PD digital/analógico con iluminación superior, el tamaño del área activa es de Φ70μm. Se caracteriza por su baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta, menor distorsión de intermodulación de segundo orden (IMD2) y distorsión compuesta de triple batido (CTB), y excelente fiabilidad. Aplicación en receptores analógicos de 2,5 Gbps e inferiores y EPON ONU.
1. Área activa de Φ70μm.
2. Baja distorsión de intermodulación de segundo orden (IMD2) y distorsión compuesta de triple batido (CTB).
3. Alta linealidad y alta capacidad de respuesta.
4. Baja corriente oscura.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% de pruebas e inspección.
Aplicaciones
1. ≤ Módulo receptor de velocidad de transmisión de datos de 2,5 Gbps.
2. EPON ONU.
3. Receptor óptico analógico CATV.
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