- Metrología - Laboratorio
- Componente Optico
- Matriz de fotodiodos chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Matriz de fotodiodos InGaAs XSJ-10-D5-50H-K4PINchip
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Características
- Especificaciones
- PIN, InGaAs, chip
Descripción
El chip fotodetector 4X10Gbps de alta velocidad es una estructura InGaAs/I InP PIN y de tipo iluminado frontal, caracterizado por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia y baja corriente oscura. El tamaño del área fotosensible es de 50um, y las almohadillas P y N están diseñadas en la parte superior para facilitar el empaquetado de los cables de soldadura. Emparejado principalmente con TIA de cuatro canales 4X10Gbps, se utiliza para receptores ópticos y comunicación de datos de larga distancia, alta velocidad y monomodo 4X10G bps.
1. Φ50μm de área activa.
2. Estructura de almohadilla de unión tierra-señal-tierra (GSG), matriz de 4X10Gbps.
3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad.
4. Paso de la matriz: 250μm.
5. 100% de pruebas e inspección.
6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE).
Aplicaciones
1. 40Gbps QSFP+ LR4
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