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Microchip digital XSJ-10-EMPD-120L
de detecciónInGaAsInP

Microchip digital - XSJ-10-EMPD-120L - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - de detección / InGaAs / InP
Microchip digital - XSJ-10-EMPD-120L - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - de detección / InGaAs / InP
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Características

Especificaciones
digital, de detección, InP, InGaAs

Descripción

El XSJ-10-EMPD-120L es un chip fotodetector de monitorización InGaAs InP PIN con iluminación lateral y estructura plana. El ánodo y el cátodo están en la parte frontal, y la ventana de detección lateral del chip es de 120umX60um, adecuada para centros de datos y láseres emisores de borde de telecomunicaciones. Tiene una alta capacidad de respuesta en el rango de longitud de onda de 980nm a 1620nm y es adecuado para embalajes no herméticos. 1. Almohadilla de unión PN en la parte superior 2. Área detectable en el borde: 120μmX60μm. 3. Alta responsabilidad y baja corriente oscura. 4. 100% de pruebas e inspección. 5. Cumplir con un paquete no hermético. 6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 7. Cumple la directiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 1. Supervisión de la potencia del láser de la cara posterior. 2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH. 3. Interconexión óptica.

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