- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip digital
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip digital XSJ-10-EMPD-120de detecciónInGaAsInP
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Características
- Especificaciones
- digital, de detección, InP, InGaAs
Descripción
El XSJ-10-EMPD-120 es un chip fotodetector de monitorización InGaAs InP PIN con iluminación lateral y estructura plana. El ánodo está en la parte delantera y el cátodo en la trasera, y la ventana de detección lateral del chip es de 120umX60um, adecuada para centros de datos y láseres emisores de bordes de telecomunicaciones. Tiene una alta capacidad de respuesta en el rango de longitud de onda de 980nm a 1620nm y es adecuado para embalajes no herméticos.
1. Almohadilla de unión P en la parte superior, almohadilla de unión N en la parte inferior
2. Área detectable en el borde: 120μmX60μm.
3. Alta responsabilidad y baja corriente oscura.
4. Admite procesos de soldadura eutéctica.
5. pruebas e inspecciones al 100%.
6. Cumple con un paquete no hermético.
7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
8. Cumplen la directiva RoHS2.0 (2011/65/UE).
Aplicaciones
1. Supervisión de la potencia del láser de la cara posterior.
2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH.
3. Interconexión óptica.
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