- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Microchip fotodiodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Microchip PON XSJ-10-APD5-50P-Xfotodiodo
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Características
- Especificaciones
- fotodiodo, PON
Descripción
Este chip fotodiodo de avalancha 10G (chip APD) es un tipo de electrodo P en la parte superior y electrodo N en la estructura inferior, con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ50μm. Este producto se caracteriza por su alta multiplicación, baja capacitancia, gran ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente fiabilidad, y se aplica en receptores ópticos 10G SONET/SDH y 10G PON.
1. Φ50μm de área activa.
2. Alta multiplicación.
3. Bajo coeficiente de temperatura.
4. pruebas e inspecciones al 100%.
5. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE).
Aplicaciones
1. 10G SONET/SDH.
2. 10G PON.
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