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Matriz de fotodiodos PIN XSJ-10-D8A-80L-KB4-500
chip

matriz de fotodiodos PIN
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Características

Especificaciones
PIN, chip

Descripción

4X200Gbps 500μm Die Pitch 1X4Array Bottom-illuminated PIN PD Chip Este chip de fotodiodo 4X112GBaud Array 800Gbps, que es un chip de fotodiodo PIN de alta velocidad de datos con iluminación inferior y estructura de mesa, con lente de Φ80μm integrada en la parte inferior del chip. Sus características son altas, baja capacitancia, baja corriente oscura y excelente fiabilidad, aplicación 910nm a 1650nm con longitud de onda de fibra monomodo, con tasa de datos de hasta 200Gbps receptor óptico de longitud de onda larga. 1.Φ80pm lente integrada en la parte inferior. 2. Ground-Signal-Ground (GSG) estructura de la almohadilla de unión,4X112GBaud array. 3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad. 4. Velocidad de transmisión:≥ 112GBaud/canal. 5. Paso del troquel: 500μm. 6. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 7. 100% de pruebas e inspección. 8. Conformidad con RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 1. módulos ópticos 800G 2. 1.módulos ópticos de 6T

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