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Fotodiodo InGaAs XSJ20R-453E-PF
avalancha

fotodiodo InGaAs
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Características

Especificaciones
InGaAs, avalancha

Descripción

1. Fotodetector de avalancha InGaAs/InP de alta respuesta, 2. Alta sensibilidad para un solo fotón 3. Alta ganancia y bajo ruido 4. Gama de longitudes de onda de 950 nm a 1650 nm, 5. paquete coaxial de fibra monomodo 49/125/250um. Aplicaciones 1. Radar láser y telemetría láser 2. Comunicación óptica 3. Medición de fluorescencia 4. Análisis medioambiental 5. Equipos biomédicos

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