El sistema de transporte de vapor físico (pvt) PVA TePla baSiC-T ha sido especialmente diseñado para el crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) por sublimación de una fuente de polvo a altas temperaturas. El diseño del sistema baSiC-T se basa en un concepto modular y permite el uso de sustratos (semillas) de hasta 6´´ de diámetro.
Nueva Generación de Hornos de Cristalización SiC PVT
Diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia
alto nivel de automatización para la producción masiva
Disponible la solución de software de gestión Fab
tamaño pequeño, colocación compacta
Disponible para 4´´ y 6´´
Calentamiento inductivo con diseños de bobinas probados en la práctica
Bajo consumo de energía (aprox. 10KW @ 2.200 °C de control estable)
Concepto de carga/descarga móvil para la zona caliente
Sistema de control superior con
manejo intuitivo con un alto grado de automatización
visualización de procesos con funciones de tendencias mejoradas
solución de configuración de recetas fuera de línea con muchas opciones de recetas por conjuntos de parámetros
registro de datos de proceso a largo plazo, recuperación de datos a largo plazo
el sistema de control y la visualización funcionan de forma independiente (concepto de seguridad)
bucles de control del sistema configurables por conjuntos de parámetros
Excelente concepto de seguridad
Conformidad CE
los diferentes niveles de los componentes de seguridad del sistema garantizan un funcionamiento seguro
mediciones de calidad y documentación de calidad ampliada
Estrecha colaboración con clientes, institutos y proveedores de componentes
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