Horno de campana SiCube

de sublimaciónde crecimiento de cristalde gas

El sistema HTCVT / HTCVD ha sido especialmente diseñado para el crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) por sublimación / descomposición térmica (pirólisis) de los gases fuente a altas temperaturas. Gracias a la capacidad de alto vacío se pueden conseguir superficies ultralimpias tanto en lo que se refiere al agua como al oxígeno antes de iniciar el proceso. El diseño del sistema permite el uso de sustratos (semillas) de hasta 4" de diámetro. Especificaciones Técnicas Tubo del reactor presión de trabajo: aprox. 5 - 900 mbar temperatura de funcionamiento: máx. 2,600 °C Suministro de energía poder: máx. 80 kW frecuencia: 6 - 8 kHz Ventajas de HTCVD: material SiC de alta pureza ajuste de la relación C/Si dopaje Ventajas Sublimación: tecnología bien conocida cumple con los requisitos de los sustratos de potencia Aplicaciones - PFC (Convertidor del factor de potencia) - Inversores y convertidores para tecnología híbrida - Inversores para energía solar - Electrónica de alta frecuencia - Optoelectrónica