Línea de tratamiento química InEtchSide 4

húmedopara celda solar

Grabado de la cara posterior de nueva generación de alto rendimiento El equipo de procesamiento automatizado InEtchSide de RENA está diseñado para la eliminación de alto rendimiento de capas de óxido de silicio y vidrios dopados (por ejemplo, PSG o BSG). El proceso de grabado de una sola cara, optimizado y patentado, garantiza un ataque químico frontal mínimo. Se utiliza en la fabricación de conceptos de células solares de alta eficiencia, como IBC, PERC, TOPCon y otros. La herramienta se basa en la plataforma en línea RENA NIAK 4. Características y ventajas Grabado químico húmedo de una cara totalmente automatizado - En línea en 10-12 vías Eliminación por una sola cara de óxido de silicio (SiO2), vidrios dopados (PSG/BSG) Tecnología RENA Fast Etch: posibilidad de procesamiento a T > RT Utiliza HF para el procesamiento de una cara (química adicional opcional, p. ej. HCl o BHF) Enjuague y secado integrados de las obleas Larga vida útil del baño gracias a la función de alimentación y sangrado La tasa de rotura más baja del sector Basado en la última plataforma de procesamiento en línea RENA NIAK 4 Alto tiempo de funcionamiento Fácil mantenimiento Opciones Interfaz MES (SECS/GEM) Armario de medios para el suministro de productos químicos Estación de bombeo de residuos para drenaje químico/aguas residuales Sensores para el control del proceso (por ejemplo, pH, conductividad) Áreas de aplicación Grabado de óxido en la cara posterior para células solares de alta eficiencia Eliminación de SiO2, PSG o BSG por una sola cara Totalmente compatible con la tecnología PERC, IBC y TOPCon