Matriz de fotodiodos chip PA2100

Matriz de fotodiodos chip - PA2100 - RLS
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Características

Especificaciones
chip

Descripción

tecnología. Los fotodiodos se pasivan con nitruro de silicio, que actúa como capa antirreflectante. A continuación se unen a la placa de circuito impreso y se protegen con pegamento epoxi transparente. El Array puede utilizarse en modo fotovoltaico o fotoconductor. Características Disponible en cuatro opciones diferentes Longitud de onda máxima a 830 nm Ventajas Alta sensibilidad Baja capacitancia Apto para SMT Alta fiabilidad

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