El SCT4013DE es un MOSFET de SiC que contribuye a la miniaturización y al bajo consumo de las aplicaciones. Se trata de un producto de 4ª generación que consigue una baja resistencia de encendido líder en la industria sin sacrificar el tiempo de resistencia al cortocircuito.
Ventajas del MOSFET de SiC de 4ª generación de ROHM
Esta serie presenta una reducción del 40% de la resistencia a la conexión y del 50% de la pérdida de conmutación en comparación con los productos convencionales. La tensión de fuente de puerta de 15 V facilita el diseño de las aplicaciones.
Baja resistencia a la conexión
Rápida velocidad de conmutación
Rápida recuperación inversa
Fácil de poner en paralelo Simple de manejar
Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con la normativa RoHS
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