Módulo MOSFET de conmutación BV1HB045EFJ-C
para las técnicas automóviles

Módulo MOSFET de conmutación - BV1HB045EFJ-C - ROHM Semiconductor - para las técnicas automóviles
Módulo MOSFET de conmutación - BV1HB045EFJ-C - ROHM Semiconductor - para las técnicas automóviles
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Características

Tecnología
de conmutación
Otras características
para las técnicas automóviles
Corriente

21 A

Tensión

Máx.: 28 V

Mín.: 6 V

Descripción

El BV1HB045EFJ-C es un interruptor de lado alto de 1ch para aplicaciones de automoción. Incorpora una función de límite de sobrecorriente, una función de protección de apagado térmico, una función de detección de carga abierta y una función de apagado de salida de baja potencia. Dispone de una función de detección de corriente de carga de salida. Función de detección de corriente incorporada TSD® dual integrado (dos tipos de protección de temperatura integrada): Temperatura de unión, y ΔTj protección que detecta el aumento repentino de la temperatura de la Power-MOS) Certificación AEC-Q100 (Grado 1) Función integrada de protección contra sobrecorriente (OCP) Función de protección de apagado térmico integrada (TSD) Función de detección de carga abierta integrada Función de apagado por baja tensión (UVLO) integrada Salida de diagnóstico integrada Interruptor MOSFET de Nch simple de baja resistencia a la conexión IC monolítico de gestión de potencia con unidad de control (CMOS) y MOSFET de potencia montados en un solo chip

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.