El SCT4013DR es un MOSFET de SiC que contribuye a la miniaturización y al bajo consumo de las aplicaciones. Se trata de un producto de 4ª generación que consigue una baja resistencia de encendido líder en la industria sin sacrificar el tiempo de resistencia al cortocircuito. Se trata de un tipo de encapsulado de 4 patillas con un terminal de fuente del controlador que puede maximizar el rendimiento de conmutación de alta velocidad que es una característica de los MOSFET de SiC.
Ventajas del MOSFET de SiC de 4ª generación de ROHM
Esta serie presenta una reducción del 40% de la resistencia de encendido y del 50% de la pérdida de conmutación en comparación con los productos convencionales. La tensión puerta-fuente de 15V facilita el diseño de las aplicaciones.
Baja resistencia a la conexión
Rápida velocidad de conmutación
Rápida recuperación inversa
Fácil de poner en paralelo
Fácil de manejar
Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con la normativa RoHS
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