Transistor MOSFET SCT4013DR

de potenciade conmutaciónde silicio

El SCT4013DR es un MOSFET de SiC que contribuye a la miniaturización y al bajo consumo de las aplicaciones. Se trata de un producto de 4ª generación que consigue una baja resistencia de encendido líder en la industria sin sacrificar el tiempo de resistencia al cortocircuito. Se trata de un tipo de encapsulado de 4 patillas con un terminal de fuente del controlador que puede maximizar el rendimiento de conmutación de alta velocidad que es una característica de los MOSFET de SiC. Ventajas del MOSFET de SiC de 4ª generación de ROHM Esta serie presenta una reducción del 40% de la resistencia de encendido y del 50% de la pérdida de conmutación en comparación con los productos convencionales. La tensión puerta-fuente de 15V facilita el diseño de las aplicaciones. Baja resistencia a la conexión Rápida velocidad de conmutación Rápida recuperación inversa Fácil de poner en paralelo Fácil de manejar Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con la normativa RoHS