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Transistor IGBT RGW00TS65CHRde conmutaciónde siliciopara las técnicas automóviles
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de conmutación
- Otras características
- de silicio, para las técnicas automóviles
- Corriente
50 A
- Tensión
650 V
Descripción
La serie RGWxx65C es un IGBT de 650 V con un diodo de barrera schottky de SiC incorporado, que reduce la pérdida de conmutación en el encendido. Se trata de un producto que cumple la norma AEC-Q101. Puede utilizarse con confianza incluso en entornos difíciles, como cargadores a bordo de vehículos eléctricos, convertidores CC/CC, acondicionadores de energía solar y SAI.
Certificado AEC-Q101
Baja tensión de saturación del colector y del emisor
Baja pérdida de conmutación y conmutación suave
Construido en carburo de silicio sin recuperación SBD
Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con RoHS
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Catálogos
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