Circuito de control puerta MOSFET BD2320EFJ-LA
IGBT

Circuito de control puerta MOSFET - BD2320EFJ-LA - ROHM Semiconductor - IGBT
Circuito de control puerta MOSFET - BD2320EFJ-LA - ROHM Semiconductor - IGBT
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Características

Especificaciones
MOSFET, IGBT

Descripción

Este producto garantiza un soporte a largo plazo en el mercado industrial. El BD2320EFJ-LA es un controlador de puerta de 100V de tensión máxima en el lado alto y en el lado bajo que puede accionar un Nch-FET externo utilizando el método de arranque. El driver incluye un diodo bootstrap de 100V y control de entradas independientes para High-Side y Low-Side. 3.hay disponibles 3V y 5.0V para la tensión de la interfaz. Los circuitos de bloqueo por bajo voltaje están incorporados para el lado alto y el lado bajo. Producto de larga duración para aplicaciones industriales. Bloqueo por bajo voltaje (UVLO) para el controlador del lado alto y del lado bajo 3.tensión de interfaz de 3 V y 5,0 V Salida en fase con la señal de entrada

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.