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- Transistor MOSFET
- ROHM Semiconductor
Transistor MOSFET SCT2H12NZde potenciade conmutaciónde silicio
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Características
- Tipo
- MOSFET
- Tecnología
- de potencia, de conmutación
- Otras características
- de silicio
- Corriente
3,7 A
- Tensión
1.700 V
Descripción
MOSFET de potencia de SiC (carburo de silicio) de canal N.
Baja resistencia a la conexión
Rápida velocidad de conmutación
Larga distancia de fuga
Fácil de accionar
Revestimiento de plomo sin Pb; cumple la directiva RoHS
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Catálogos
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